2019第一季度全球信息领域发展动态
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2019第一季度全球信息领域发展动态
发布日期:2019-08-06   来源:上海市科学学研究所
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 重大技术突破

1. 华为发布全球第一个支持5G 3GPP标准的商用芯片组Balong 5000

2019124日,华为正式面向全球发布了5G多模终端芯片——Balong 5000(巴龙5000)。巴龙 5000体积小、集成度高,能够在单芯片内实现2G/3G/4G5G多种网络制式,有效降低多模间数据交换产生的时延和功耗。相比之下,高通的5G单模X50芯片方案在2G/3G/4G5G之间需要855X50两颗芯片来回切换。

巴龙 5000率先实现业界标杆的5G峰值下载速率,在Sub-6GHz(低频频段,5G的主用频段)频段实现4.6Gbps,在毫米波(高频频段,5G的扩展频段)频段达6.5Gbps,是4G LTE可体验速率的10倍。巴龙 5000在业内率先支持NR TDDFDD全频谱,扩展了5G频谱的使用范围和场景,实现TDDFDD高低频搭配使用。

巴龙 5000在全球率先支持SA5G独立组网)和NSA5G非独立组网,即5G网络架构在LTE上)组网方式,可以灵活应对5G产业发展不同阶段下用户和运营商对硬件设备的通信能力要求。巴龙 5000也是全球首个支持V2Xvehicle to everything)的多模芯片,可以提供低延时、高可靠的车联网方案。

2. 高通推出第二代5G基带芯片X55 ,速率达7Gbps

2019219号,高通推出了第二代5G基带芯片骁龙 X55。该芯片是骁龙 X50的后续产品,将支持高达7Gbps的速率。即将推出的骁龙 855设备,再搭配X55调制解调器,共同构成了2019年高通的5G平台。

在工艺上,骁龙X55从骁龙X5010nm升级为7nm,向下支持高达2.5Gbps4G LTE速度,功能和性能方面也有不同程度的提升。5G模式下,骁龙X55可实现最高达7Gbps的下载速度和最高达3Gbps的上传速度;同时支持Cat 22 LTE带来最高达2.5 Gbps的下载速度。骁龙X55支持全球所有主要频段,包括毫米波频段和6 GHz以下频段;支持TDDFDD运行模式;支持独立(SA)和非独立(NSA)网络部署。

此外,骁龙X55调制解调器还有两个值得关注的技术特性,一是4G/5G频谱共享,即在同一小区里面,使用骁龙X55可以同时共享4G5G的重叠频谱;二是全维度MIMO,在这一技术的支持下,小区的天线阵列除了水平方向,还可以在垂直方向上进行波束成形和波束导向,提升整个空间的覆盖和效率。

3. Intel宣布首款3D封装处理器Lakefiled

2019CES展上,Intel宣布了首款基于Foveros混合封装的产品,面向笔记本移动平台的“Lakefield”。Lakefiled集成了五个CPU核心,分为一个大核心、四个小核心,都采用10nm工艺制造。Foveros是一种全新的3D芯片封装技术,首次为CPU处理器引入3D堆叠设计,可以实现芯片上堆叠芯片,而且能整合不同工艺、结构、用途的芯片,大大提高芯片设计的灵活性,便于实现更丰富、更适合的功能特性,获得最高性能或者最低能耗。

4. IBM发布全球首台独立量子计算机

2019CES展上,IBM把整个量子计算系统集成到一个棱长为9英尺(约2.74米)的立方体玻璃盒中,作为一个能独立工作的综合设备展出,称为IBM Q System One。这将是全球首台量子计算一体机。IBM暂无商业化IBM Q System One打算。据分析,因量子计算在基础研究上未获突破,实用性仍有较大距离。

5. 我国科学家首次实现Pbit/s级光传输

科技日报2019112日消息,我国光通信技术再次取得突破性进展,首次实现1.06Pbit/s超大容量单模多芯光纤光传输系统实验,传输容量是目前商用单模光纤传输系统最大容量的10倍,可以在1秒之内传输约1301TB硬盘所存储的数据。

据悉,该实验采用了国内在光传输系统技术、光器件和光芯片技术、光纤光缆技术上最领先的研究成果,所使用的核心光芯片和光纤均为自主研制,具有完全自主知识产权。标志着我国在“超大容量、超长距离、超高速率”光通信系统研究领域再次迈上了新的台阶。

该系统设备在C+L波段内产生了375个光载波,基于硅光相干收发芯片实现了25GHz通道内的178.18Gbit/s DFTs-PDM-16QAM信号光收发,在单模19芯光纤内完成了光传输验证,传输总容量达到1.06Pbit/s,净频谱效率达到了113bit/s/Hz。经第三方检测验证,此次实现的“1.06Pbit/s超大容量单模多芯光纤光传输系统”为国内首次,达到了国际先进水平。

6.清华大学成功研制基于忆阻器的PUF芯片

2019220日,正在美国旧金山召开的第66届国际固态电路会议(ISSCC 2019)上,清华大学微电子学研究所钱鹤、吴华强教授团队报道了国际首个基于阻变存储器(RRAM)的可重构物理不可克隆函数(PUF)芯片设计。该芯片在可靠性、均匀性以及芯片面积上相对于之前工作都有明显提升,且具有独特的可重构能力。

随着智能硬件的广泛普及,半导体供应链安全威胁的增加,硬件安全已经变得越来越重要,仅基于软件的安全防护已经不能满足需求。近年来,物理不可克隆函数(PUF)已经成为一种新的硬件安全防护手段。集成电路PUF可以利用器件固有的随机性(如工艺的随机性)在特定的激励下产生不可预测的响应,进而充当了唯一性识别芯片的硬件“指纹”。

7. 我国首条G11代掩膜版生产线产品下线

2019123日,位于成都市高新西区的成都路维光电有限公司(简称“成都路维”)国内首条G11代高世代掩膜版项目的首张掩膜版产品成功下线,实现了超高世代掩膜版的国产化。路维光电实现了掩膜版产品线从低世代的G4.5G6产品到高世代的G8.5G11产品的跨越,打破了国外垄断,完善了显示产业上游大尺寸掩膜版的布局,推动了我国光掩膜版技术能力的提升。

重大投资并购信息

1. 荷兰光刻机制造商ASML宣布收购竞争对手Mapper的知识产权资产

2019128日,荷兰光刻机制造商ASML官方宣布,收购其竞争对手荷兰代尔夫特的光刻机制造商Mapper的知识产权资产。同时,ASML的官方声明中还写到,将为Mapper在研发和产品装配方面的高技能员工提供合适的职位。Mapper多年来积累的知识产权和知识也将被用于荷兰光刻机技术的进一步创新。

2. 美国两大电子化学品公司Versum MaterialsEntegris宣布合并

2019128日据路透社报道,Versum Materials(之前从空气产品公司剥离出来的一家独立的电子材料公司),周一宣布它将与化学公司Entegris合并。这项价值90亿美元的交易是等价合并,合并后的公司能够为推动数字时代的半导体制造商提供创新元件和化学工艺。

为了不断提高速度和可靠性,半导体公司依赖VersumEntegris等公司开发的特种材料和化学工艺。Versum20184月份在其Rush Township园区开设了一个价值2000万美元的研发技术中心。园区生产各种特种气体和化学品,包括三氟化氮,用于制造硅晶片的清洁等离子蚀刻,以及半导体工业用于制造薄膜的六氟化钨。Entegris专注于气体和空气净化以及过滤设备等技术,可以更容易地封装和运输半导体晶圆和其他电子元件。这些公司的专业是互补的,合并将创造全球第一个全面有效的端到端材料解决方案提供商,贯穿整个半导体制造流程。

3. 泰瑞达声明收购供应商Lemsys

2019130日,泰瑞达和Lemsys的股东宣布,泰瑞达收购瑞士日内瓦的私有公司Lemsys。这家拥有21名员工的公司将继续留在日内瓦,并保持现有的管理团队和人员。

Lemsys是全球领先的大功率半导体测试设备供应商,为电动汽车、风能和太阳能发电以及大功率工业应用等新兴和不断增长的功率分立器件和模块市场提供服务。

收购Lemsys将扩展泰瑞达在新兴和快速增长的功率分立领域测试市场中的作用,为客户提供从研发到大批量生产的功率分立领域测试解决方案组合,通过泰瑞达全球分销和财务实力增强Lemsys的增长。

4. 格芯(GlobalFoundries)将新加坡Fab 3E厂出售给世界先进

格芯(GlobalFoundries)于131日在财报会上宣布,同意将新加坡的Fab 3E工厂出售给世界先进半导体公司,作价2.36亿美元。世界先进半导体公司(VIS)隶属于台积电集团,由台积电创办人张忠谋于1994年创办。

报道称,这是格芯在今年年底退出MEMS(微机电系统)业务的更广泛计划的一部分。此次收购FAB3E将获得每月350008英寸产能,月产能将突破23万片,公司将更加巩固全球最大的8英寸纯晶圆代工商的地位。

世界先进公司董事长方略表示,公司自创立以来,已有三次丰富的经验,将晶圆厂分别由DRAM厂成功转型为专业晶圆代工厂。感谢格芯半导体董事会与经营团队的支持,让此次交易圆满成功,也让公司得以经由这次交易,取得持续扩充产能的机会,确保公司未来的成长动能。

5. 达尔科技收购德州仪器的苏格兰晶圆厂GFAB

201924日,达尔科技(Diodes)宣布和德州仪器(TI)已达成收购协议,将收购德州仪器位于苏格兰格里诺克的晶圆制造厂GFAB。预计将于2019年第一季度末完成。

GFAB的占地面积为318782平方英尺,洁净室面积82226平方英尺,月产能为21666片约当8英寸晶圆(或256000个等效8寸光罩层)。达尔科技将承接GFAB的所有员工,在德州仪器转移GFAB的产品到其他晶圆厂时,达尔科技将在GFAB为德州仪器制造部分产品。

收购完成后,达尔科技将在英国拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸),在中国上海拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸)。公司的晶圆厂都是通过收购而来。还可以Diodes提供额外的晶圆制造能力,以支持公司的产品增长,特别是汽车业务扩展计划,并将借助GFAB6英寸转8英寸的经验有助力于上海厂的8英寸厂产能提升

6. 意法半导体收购SiC晶圆制造商Norstel 55%股权

201926日,意法半导体宣布,与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB签署了收购协议。根据协议,意法半导体此次将收购Norstel AB55%股权,并可选择在某些条件下收购剩余的45%,如果实行,收购总额将达到1.375亿美元,并以现金支付。

意法半导体的总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示,作为车规级碳化硅(SiC)器件的供应商,公司期望能够推动公司碳化硅(SiC)业务的进一步增长,不论是在体量上,还是在所服务的应用领域(工业和汽车)上,目标是要在这个预计2025年超过30亿美元的市场中实现领先地位。

7.爱德万收购Astronics半导体系统测试部

2019215日,日本半导体测试设备大厂爱德万测试宣布,已与美国Astronics达成协议,爱德万最高将花费1.35亿美元买下Astronics的半导体相关测试部门。爱德万将通过这次并购,强化该公司在相关测试业务上的阵容。未来可扩大在系统级产品的测试领域版图。

8. 英特尔终止与紫光展锐在分享5G芯片成果方面的合作伙伴关系

2019226日,据日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)援引知情人士消息表示,由于担心相关技术转让可能会引发华盛顿方面的问题,英特尔已经决定终止与清华紫光集团子公司紫光展锐在5G调制解调器芯片方面的合作伙伴关系。

这家美国芯片巨头去年曾与紫光展锐达成一项为期“多年”的合作,使其能够进入庞大的中国芯片市场,而当时的技术转让伙伴关系则被视为中国政府打造国内领先芯片产业雄心的重要组成部分。然而,双方于2018年世界移动大会期间建立的合作伙伴关系在不到12个月内宣告破裂。这表明,华盛顿方面长期以来遏制中国在高科技行业主导地位的努力正在产生效果。

兄弟省市消息

1. 广州:《广州市加快发展集成电路产业的若干措施》正式印发

《广州市加快发展集成电路产业的若干措施》(以下简称《若干措施》)近日正式印发,将通过实施七大工程,大力培育发展集成电路产业,力争到2022年,建成全国集成电路产业集聚区、人才汇聚地、创新示范区。

根据此次制定的《若干措施》,广州将组织实施七大工程,涵盖芯片制造提升、芯片设计跃升、封装测试强链、配套产业补链、创新能力突破、产业协同发展、人才引进培育等

同时,提出打造“一核、一基、多园区”的产业格局,即以黄埔区广州开发区为核心,大力引进集成电路制造项目,建设集成电路产业园,成为全国重要的产业集聚区。推进广州国家现代服务业集成电路设计产业化基地建设。发挥天河、海珠、越秀、白云、荔湾等中心区域产业优势,推动集成电路设计产业集聚发展。鼓励番禺、南沙、花都、增城、从化等区结合自身产业发展基础和特色,加快集成电路相关产品的研发与产业化。

近年来,广州依托珠三角电子信息制造和信息消费市场的优势,组织实施“强芯”工程,大力推进集成电路制造项目建设,促进设计、封装、测试等行业加速发展,初步形成了产业合力。

2. 重庆:国家级集成电路设计产业化基地正式落户

2019120日,“重庆(北京)产业合作推介交流会”在北京国家会议中心举行,会上共有12个重点合作项目进行集中签约,涵盖人工智能、智能制造、军民融合、新材料等多个行业领域,计划总投资逾50亿元人民币。

此次签约项目包括国家级集成电路设计产业化基地及创新中心项目、东旭产业园项目、中国普天西部研究院项目、重庆两江新区独角兽加速基地、人工智能全球创新中心项目等。

国家级集成电路设计产业化基地及创新中心项目致力于推动集成电路技术创新要素集聚、创新企业孵化与成果推广;东旭产业园项目助致力于推动石墨烯等高端新材料产业化;创业黑马分别与重庆高新区、两江新区签订合作协议,推动在高新区建设人工智能全球创新中心,建设重庆两江新区独角兽加速基地。

2018年,重庆全市集聚了BAT、华为、浪潮等大数据智能化企业3000余家,智能产业规模达到4600亿元。

3. 无锡:成功获批建设国家“芯火”双创基地

近日,据工信部消息,无锡成功获批建设国家“芯火”双创基地,成为全国首家获批的地级市。目前全国共有8家城市获批,除无锡外,还包括深圳、南京、北京、上海、杭州、西安、合肥等省会城市和副省级城市。

此次获批,标志着无锡在2001年被科技部认定为全国“7+1”的国家集成电路设计产业化基地以来,继续保持在全国集成电路产业发展的领先地位。

无锡以太科园片区为核心区,明确未来三年无锡“芯火”双创基地的发展方向和建设内容。高新区将面向国产自主芯片、整机厂商合作以及创新创业领域,建设技术创新服务平台、自主知识产权推广平台、产学研用产业链建设平台以及人才培养与协同创新平台,充分发挥“芯火”双创基地的带动作用,全面助推无锡集成电路产业发展。

国家“芯火”双创基地(平台)是由国家工信部牵头,面向国内集成电路产业一线城市,在现有集成电路设计产业化基地基础上,集聚公共服务机构、优势骨干企业、社会力量等资源,以集成电路技术和产品为着力点,发展和打造一批信息技术领域新型双创基地(平台),为小微企业、初创企业和创业团队建立完善的政策、制度环境和服务体系,推动形成“芯片-软件-整机-系统-信息服务”的产业生态体系。